DRAM

动态随机存取存储器（Dynamic Random Access Memory，DRAM）是一种半导体存储器，主要的作用原理是利用電容內儲存電荷的多寡來代表一個二进制位元（bit）是1還是0。由於在現實中電容會有漏電的現象，導致电位差不足而使記憶消失，因此除非電容經常周期性地充電，否則無法確保記憶長存。由於這種需要定時刷新的特性，因此被稱為「動態」存储器。相對來說，「靜態」存储器（SRAM）只要存入資料後，縱使不刷新也不會遺失記憶。

DRAM的記憶單元

與SRAM相比，DRAM的優勢在於結構簡單－－每一個位元的資料都只需一個電容跟一個電晶體來處理，相比之下在SRAM上一個位元通常需要六個電晶體。正因這緣故，DRAM擁有非常高的密度，單位體積的容量較高因此成本較低。但相反的，DRAM也有存取速度较慢，耗电量较大的缺點。

與大部分的隨機存取存储器（RAM）一樣，由於存在DRAM中的資料會在電力切斷以後立刻消失，因此它屬於一種揮發性存储器（volatile memory）設備。

[编辑] 相關條目

• 靜態隨機存取存储器
• 存储器

[编辑] 外部連結

• TTRAM - 瑞薩科技發明的新型RAM。（正體中文 - 台灣）

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